Ga炎症显像时采集条件是

• A、高能准直器，能峰置于511keV，窗宽15%
• B、低能平行孔准直器，能峰置于140keV，窗宽20%
• C、低能平行孔准直器，能峰置于70keV和167keV，窗宽20%
• D、中能平行孔准直器，能峰置于173keV 和247keV，窗宽20%
• E、中能平行孔准直器，能峰置于93keV、184keV和296keV，窗宽20%