关于预饱和技术的叙述，错误的是

• A、预饱和技术可用于各种脉冲序列
• B、预饱和技术可以抑制各种运动伪影
• C、饱和带越窄，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越差
• D、饱和带越多，抑制伪影效果越好
• E、增加饱和带，但要减少扫描层数或增加扫描时间