有关半导体探测器的描述，错误的是

• A、硅型半导体探头比同等体系的空气电离室灵敏度高1800多倍
• B、P型探头是在P区做中等掺杂，在N区高浓度掺杂
• C、N型探头是在N区做中等掺杂，在P区高浓度掺杂
• D、P型探头灵敏度随以往受照射累积剂量增加，衰退程度比N型探头迅速
• E、在加速器脉冲辐射场中预照射后的N型探头会有超线性响应