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口腔医学

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抑制性突触后电位发生的原因主要是：

  • A、突触后膜对K+和Cl-通透性增加
  • B、突触后膜对Na+通透性增加
  • C、突触后膜对Ca2+通透性增加
  • D、突触后膜对Mg2+通透性增加
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