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核医学(中级)［345］

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Ga炎症显像时采集条件是

  • A、高能准直器，能峰置于511keV，窗宽15%
  • B、低能平行孔准直器，能峰置于140keV，窗宽20%
  • C、低能平行孔准直器，能峰置于70keV和167keV，窗宽20%
  • D、中能平行孔准直器，能峰置于173keV 和247keV，窗宽20%
  • E、中能平行孔准直器，能峰置于93keV、184keV和296keV，窗宽20%
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